300uJ Erbium Glass Microlaser

Premye a tout, prensip k ap travay nan microlaser vè erbium la se sèvi ak radyasyon an ankouraje nan eleman nan erbium emèt limyè yo pwodwi limyè lazè ak yon longèdonn nan 1.5 mikron. Lazè semi-conducteurs itilize karakteristik materyèl semi-conducteurs pou libere enèji atravè rekonbinasyon elektwon ki enjekte ak twou pou jenere pwodiksyon lazè. Se poutèt sa, prensip k ap travay nan de lazè yo trè diferan. Microlasers vè Erbium yo pi apwopriye pou jenere limyè lazè ak yon longèdonn apeprè 1.5 mikron, pandan y ap lazè semi-conducteurs yo apwopriye pou plis chenn longèdonn.

Dezyèmman, jaden aplikasyon erbium vè microlasers ak lazè semiconductor yo tou trè diferan. Erbium vè mikwo lazè yo pwensipalman itilize nan kominikasyon lazè, tretman medikal, pwosesis materyèl endistriyèl ak lòt jaden, pandan y ap lazè semi-conducteurs yo pi lajman itilize nan enprime, koupe, ekleraj, detèktè ak lòt jaden.

Anplis de sa, microlasers vè Erbium ka pwodwi pi wo pwodiksyon lazè pouvwa, pandan y ap lazè semi-conducteurs yo pi fasil yo entegre ak fabrike. Finalman, pèfòmans nan microlasers vè Erbium ak lazè semi-conducteurs tou diferan. Erbium vè mikwo lazè gen pi bon kalite gwo bout bwa, pi wo pouvwa pwodiksyon ak pi bon estabilite, men yo pa ka souvan modulation ak chanje. Pandan ke lazè semi-conducteurs gen pèfòmans modulasyon ekselan ak kapasite chanje vit, men bon jan kalite a gwo bout bwa pwodiksyon se pòv, ki mande plis ajisteman oswa optimize.

An konklizyon, microlasers vè Erbium ak lazè semiconductor yo fèt dapre diferan prensip k ap travay, jaden aplikasyon ak kondisyon pèfòmans. Lè w ap chwazi yon lazè, li nesesè pou w konsidere egzijans aplikasyon espesifik ak kontrent teknik yo. Si w bezwen oswa ou vle reyalize sa a kalite mikrolaser, tanpri kontakte m dirèkteman nan okenn dout.